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雙介質(zhì)阻擋放電低溫等離子產(chǎn)品說(shuō)明

我司低溫等離子產(chǎn)品采用雙介質(zhì)阻擋放電技術(shù)（DDBD），產(chǎn)品具有放電密度高，電子能量強(qiáng)，溫升低，壽命長(zhǎng)、安全無(wú)電火花等特點(diǎn)。高壓電源和放電模塊均為模塊化設(shè)計(jì)，方便根據(jù)客戶的工況和場(chǎng)地需求進(jìn)行整體設(shè)備的設(shè)計(jì)。

佛山晟環(huán)保設(shè)備有限公司 雙介質(zhì)阻擋低溫等離子 除臭設(shè)備參數(shù)表

高壓電源和放電模塊

1、相比較于電暈放電的低溫等離子產(chǎn)品，我司產(chǎn)品具有以下優(yōu)勢(shì)：

1)DDBD產(chǎn)生電子能量高，可達(dá)5ev-10ev。而電暈放電產(chǎn)品的電子能量絕大部分是小于5eV。雙介質(zhì)阻擋放電低溫等離子體密度大，是電暈放電的1500倍，因此前者對(duì)廢氣分子有更高的去除率和能量效率。

2)DDBD技術(shù)主要是依靠高能電子轟擊、氧原子和羥基氧化去除污染物分子的，該過(guò)程反應(yīng)極快。而電暈放電低溫等離子主要是靠臭氧氧化，速率較慢。因此前者可以處理高風(fēng)速、大流量的廢氣氣體。而后者只能處理低風(fēng)速、小流量的廢氣。

3)DDBD產(chǎn)品的放電電極是內(nèi)置在石英玻璃管內(nèi)部的，廢氣不會(huì)與電極接觸，不會(huì)發(fā)生腐蝕問(wèn)題。電暈放電是裸露的電極，很快就會(huì)被廢氣腐蝕或者被自身生成的臭氧腐蝕。因此前者的設(shè)備壽命遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于后者。

4)DDBD設(shè)備主要消耗的是電能，啟動(dòng)和關(guān)停都十分迅速，隨用隨開(kāi)?？梢怨?jié)省大量的時(shí)間和能源。

2、相比較于同類產(chǎn)品，我司產(chǎn)品具有以下優(yōu)勢(shì)：

1)業(yè)內(nèi)同行一般的高壓電極采用的是低成本的金屬粉末，而我司產(chǎn)品采用了高精度的銅棒電極。比較而言，銅棒電極雖然成本高，但是其內(nèi)阻小，減少了放電電極的發(fā)熱量，提高了設(shè)備的可靠性和穩(wěn)定性。同時(shí)，光滑的銅棒電極使得放電氣隙的電場(chǎng)分布更均勻，允許更高的場(chǎng)強(qiáng)，可產(chǎn)生的跟高能量的高能電子，更有利于對(duì)廢氣污染物分子的轟擊和徹底分解。因此我司產(chǎn)品適應(yīng)污染物能力強(qiáng)，處理廢氣去除率更高。

放電模塊工作時(shí)的放電效果

2)高壓電源和放電模塊是一對(duì)一的匹配關(guān)系，工作性能被優(yōu)化到最優(yōu)狀態(tài)，使得轉(zhuǎn)換效率高于90%。產(chǎn)生同樣的低溫等離子體，所消耗的電能更少，有利于降低設(shè)備的運(yùn)行費(fèi)用。

3)高壓電源和放電模塊均為模塊化、緊湊型的設(shè)計(jì)，讓廢氣處理設(shè)備體積最小化，同時(shí)方便后期的擴(kuò)容和維護(hù)。

雙介質(zhì)阻擋放電（DDBD）技術(shù)介紹與技術(shù)特點(diǎn)

雙介質(zhì)阻擋放電（DDBD）技術(shù)可產(chǎn)生高密度低溫等離子體，其內(nèi)部富含極高化學(xué)活性的粒子，如高能電子、離子、自由基和激發(fā)態(tài)分子等。通過(guò)高能電子及自由基的對(duì)污染分子進(jìn)行斷鍵、氧化等一系列的物理化學(xué)反應(yīng)，從而達(dá)到去除污染物的效果。該技術(shù)主要用于TVOC及惡臭氣體治理工況。

DDBD技術(shù)，兼具高能電子轟擊、臭氧氧化、紫外光解等多重技術(shù)，是一種協(xié)同一體化的廢氣處理技術(shù)，對(duì)廢氣的處理效果，遠(yuǎn)優(yōu)于各技術(shù)的單獨(dú)使用，是 唯一可用于工業(yè)化廢氣處理的等離子技術(shù)。該技術(shù)有兩個(gè)明顯的特點(diǎn)，亦可作為判斷某個(gè)技術(shù)（設(shè)備）是否為雙介質(zhì)阻擋放電（DDBD）：

1.放電模塊的電極內(nèi)置在阻擋介質(zhì)材料內(nèi)部，一般為石英玻璃，不會(huì)有裸露在外的電極。

2.驅(qū)動(dòng)放電模塊的高壓電源必須是高頻交流或者脈沖電源，溫升小，轉(zhuǎn)換效率高。

1、與傳統(tǒng)的電暈放電技術(shù)相比

傳統(tǒng)的電暈放電技術(shù)，其產(chǎn)生的低溫等離子體只能出現(xiàn)在裸露的尖端電極附近，密度很低而且在空間的分布是稀疏點(diǎn)狀的，極端的不均勻，難以覆蓋整個(gè)空間。而待處理氣體中的廢氣分子，在空間的分布式是隨機(jī)狀態(tài)的，因此該技術(shù)方案難以實(shí)現(xiàn)等離子體有效的去碰撞廢氣分子并且去除之。并且，裸露的尖端電極容易被腐蝕而造成短壽命，并且出現(xiàn)火花放電，存在安全隱患。

采用雙介質(zhì)阻擋放電（DDBD）的方法產(chǎn)生低溫等離子體，可以實(shí)現(xiàn)大面積的均勻放電（如圖示），在廢氣流通的通道里均勻分布著高密度等離子體，極大的提高和保障了廢氣的去除率。并且電極是內(nèi)置在介質(zhì)材料里面，避免了電極的腐蝕和火花放電，提高了設(shè)備的壽命和可靠性。

2、與UV光解技術(shù)相比

UV光解即紫外光照射技術(shù)，通過(guò)紫外燈管產(chǎn)生的185nm光譜與253.7nm光譜對(duì)廢氣成分進(jìn)行照射，分解廢氣中的氧分子產(chǎn)生臭氧，利用臭氧對(duì)廢氣進(jìn)行氧化分解的技術(shù)。該技術(shù)本質(zhì)是利用臭氧的氧化能力，主要用于殺菌、消毒，或者小風(fēng)量廢氣的處理等工況。UV燈管和電源的壽命短，進(jìn)口的產(chǎn)品也只有8000小時(shí)，24小時(shí)運(yùn)行的工況下，壽命不到1 年。

DDBD技術(shù)是多重技術(shù)的協(xié)同一體化，同時(shí)兼具高能電子轟擊、臭氧氧化和紫外光解等技術(shù)。它對(duì)廢氣的處理效果，是UV光解無(wú)法比擬的，而且DDBD的設(shè)備壽命可達(dá)10年。

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